王平
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 全In组分可调InGaN的分子束外延生长被引量：1
- 2015年
- Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 e V(Ga N)到0.64e V(In N)连续可调,波长范围覆盖了0.3–1.9μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬底,In N和InxGa1-xN薄膜通常生长在蓝宝石或Ga N模板上.本论文综述了采用MBE方法,在蓝宝石衬底和Ga N模板上生长了In N和全组分InxGa1-xN薄膜的生长行为和材料物理性质.利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移率的InN薄膜,利用温度控制外延法在Ga N/蓝宝石模板上制备了全组分InxGa1-xN薄膜.
- 王新强王平刘世韬王平马定宇郑显通
- 关键词：N分子束外延
- MOCVD生长硅掺杂n-AlxGa1-xN材料表面态和深能级缺陷研究
- 应用电流-电压(I-V),电容-电压(C-V),原子力显微镜(AFM),X-射线光电子能谱(XPS)和深能级瞬态谱(DLTS)技术,系统研究具有较宽Al组分(x=0,0.14,0.24,0.33和0.43)AlxGa1-...
- 时俪洋沈波卢励吾王平张霞闫建昌王军喜
