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王伟

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金：江苏省高校人文社会科学研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇量子
  • 2篇量子模型
  • 1篇单极晶体管
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体激元
  • 1篇电学性能
  • 1篇亚波长
  • 1篇亚波长结构
  • 1篇栅电流
  • 1篇微环
  • 1篇微环谐振
  • 1篇微环谐振器
  • 1篇谐振器
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇滤波特性
  • 1篇纳米MOSF...
  • 1篇介质
  • 1篇格林函数
  • 1篇函数
  • 1篇MIM

机构

  • 4篇南京邮电大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 4篇王伟
  • 2篇顾宁
  • 1篇常晨辉
  • 1篇蔡祥宝
  • 1篇樊艳娜
  • 1篇孙叶华

传媒

  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇南京邮电大学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型
2006年
介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。
王伟孙建平顾宁
关键词：栅电流量子模型
基于MIM亚波长结构的微环谐振器性质研究
2012年
文中设计了一种基于MIM结构的亚波长表面等离子体激元微环谐振器,利用时域有限差分(FDTD)方法分析了其滤波特性,并且针对1.31谐振输出波长处对谐振器进行了性能分析。结果表明这种亚波长结构的微环谐振器与现有的传统介质谐振环器件相比具有很大的优势,更加有利于集成光路的应用。
孙叶华蔡祥宝樊艳娜常晨辉王伟
关键词：表面等离子体激元微环谐振器滤波特性亚波长结构
纳米MOS器件的设计模型被引量：1
2006年
几十年来,MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展,对于缩小到纳米尺度的MOS器件,量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题,以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型,并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。
王伟
关键词：量子模型格林函数
纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析
采用量子模型，研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅泄漏电流，该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介贡和多层高k栅介质纳米MOSFET，具有概念简单，运算效率高、求解稳定...
王伟孙建平顾宁
关键词：单极晶体管电学性能泊松方程
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