李明
- 作品数：14 被引量：72H指数：4
- 供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
- CPU散热技术的最新研究进展
- 随着芯片集成度的不断提高,为CPU提供有效的散热方案成为电子行业的重要研究课题.针对CPU热障问题,着重讨论了热管、微通道和制冷芯片3种新型微冷却方式的发展现状、传热原理以及应用前景,分析了它们各自的优缺点和有待解决的问...
- 高翔凌惠琴李明毛大立
- 关键词：CPU散热热管微通道
- 文献传递
- 添加剂及热处理对钴互连镀层电性能的影响机理研究被引量：2
- 2022年
- 随着芯片互连尺寸缩小至10 nm节点以下,钴(Co)凭借其短电子自由程、优异的抗电迁移和扩散阻挡性能,被提出作为替代铜的新一代互连材料。抑制剂的加入可以实现Co互连的电沉积超填充,但同时会造成Co电阻率的增加。热处理是改善电性能的常用手段,然而抑制剂和热处理对Co电性能的共同影响及机理有待研究。为研究其共同影响机理,评估了丁二酮肟(DMG)、聚乙烯亚胺(PEI)和2-巯基-5-苯并咪唑磺酸(MBIS)三种抑制剂的电化学行为,电沉积制备了抑制剂作用下的Co镀层,表征了热处理前后Co的晶体结构、晶粒尺寸和杂质变化。结果表明镀层方阻随着抑制剂浓度的增加而增大。0.02 wt.%DMG、0.0015 wt.%PEI和0.002 wt.%MBIS具有相似的抑制能力,对应镀层具有HCP晶体结构和相似的晶粒尺寸,且300℃热处理后未发生明显变化,镀层的初始方阻和300℃热处理后方阻下降率的大小关系均为0.02 wt.%DMG>0.0015 wt.%PEI>0.002 wt.%MBIS,造成该大小差异的主要原因分别是镀层初始杂质含量和热处理后杂质下降量的不同。此研究为业界选择最佳的添加剂及热处理工艺,以生产具备优越电性能的Co互连线提供了一定的理论支持。
- 陈淑慧张梦云谭祾月李明杭弢
- 关键词：晶粒尺寸方阻
- 三维多孔Si-O-C/Ni复合物厚膜锂离子电池负极的电沉积制备及电化学性能研究
- 电动汽车的发展对锂离子电池的性能提出了更高的要求,其中一项关键任务是寻找新型负极材料,使之具有更高的嵌锂容量和嵌脱锂可逆性,以保证电池高容量、大电流和长循环寿命.硅基负极材料由于具有最高的理论嵌锂容量(4200 mAh ...
- 杭弢钱鑫李明
- 铜镀层对IC引线框架表面抗氧化失效的作用被引量：4
- 2007年
- 研究了在铜合金表面电镀纯铜层保护膜对铜合金引线框架氧化失效的影响.研究发现,电镀纯铜层后,纯铜层氧化速率较高,氧化膜较厚,然而,由于纯铜层的阻挡作用,可以使氧化只发生在纯铜层上,减少CuO的生成.当铜合金表面的电镀纯铜层厚度超过一个临界值,表面电镀纯铜处理可以明显改善材料的耐氧化剥离性.表面电镀前的铜合金氧化膜结构为CuO/Cu2O/Cu.电镀纯铜层后,氧化膜结构变为Cu2O/Cu,当氧化膜主要由Cu2O构成时,氧化膜结合强度较高.
- 王寿山胡安民李明沈宏毛大立
- 关键词：引线框架材料铜合金电镀电子封装
- 硅基表面湿法接枝有机绝缘膜在三维硅通孔互连的应用
- 随着电子技术的高速发展,更高密度、更高集成化的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。为了延续'摩尔定律',芯片立体堆叠式的三维硅通孔(TSV)技术成为人们关注的焦点。绝缘层的制备是实现三维TSV垂直互连的关键技术之一。然...
- 刘阳吴蕴雯张俊红杭弢李明
- 铜镀层对IC引线框架表面抗氧化失效的作用
- 研究了在铜合金表面电镀纯铜层保护膜对铜合金引线框架氧化失效的影响.研究发现,电镀纯铜层后,纯铜层氧化速率较高,氧化膜较厚,然而,由于纯铜层的阻挡作用,可以使氧化只发生在纯铜层上,减少CuO的生成.当铜合金表面的电镀纯铜层...
- 王寿山胡安民李明沈宏毛大立
- 关键词：引线框架材料铜合金表面电镀电子封装
- 文献传递
- CPU散热技术的最新研究进展被引量：34
- 2007年
- 随着芯片集成度的不断提高,为CPU提供有效的散热方案成为电子行业的重要研究课题.针对CPU热障问题,着重讨论了热管、微通道和制冷芯片3种新型微冷却方式的发展现状、传热原理以及应用前景,分析了它们各自的优缺点和有待解决的问题,并对这一领域的发展前景作了展望.
- 高翔凌惠琴李明毛大立
- 关键词：热管微通道
- IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理被引量：7
- 2006年
- 通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差。通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO／Cu2O／Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落。研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因。
- 沈宏李明毛大立
- 关键词：引线框架材料铜合金电子封装
- ZnO取代部分Al_2O_3的Li_2O-Al_2O_3-SiO_2系微晶玻璃的相变和性能被引量：14
- 2005年
- 研究了以质量分数(下同)0-15%的ZnO取代Li2O-Al2O3-SiO2玻璃体系中相等质量的Al2O3后,微晶玻璃相变和性能。结果表明:随ZnO的取代量的增加,玻璃的熔化温度和玻璃晶化峰温度及转变温度不断降低,所有成分的微晶玻璃均可以得到具有细小等轴晶粒的组织结构,材料的热膨胀系数较低。当ZnO的取代量为5%时,首先析出的晶相仍为β-石英固溶体;随温度升高β-石英固溶体转变为β-锂辉石固溶体,与未取代时几乎一样,组织和性能的变化也较小。当ZnO的取代量增加到10%时,820℃高温晶化后,除了析出了β-石英固溶体、β-锂辉石固溶体外,还出现了硅锌矿相,使材料有较好的热性能和力学性能。当ZnO的取代量增加到15%时,材料的晶粒易粗化,抗弯强度和断裂韧性下降。
- 胡安民李明毛大立梁开明
- 关键词：微晶玻璃锂辉石热膨胀
- TiO_2/Al_2O_3堆栈结构high-k薄膜的制备及性能被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射法制备了TiO_2/Al_2O_3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响。实验结果表明:400℃退火后,TiO_2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度。同时,退火使Ti进一步向Al_2O3层扩散,形成TiO_2和Al_2O_3的混合层,Al_2O_3层过薄时不能有效阻挡TiO_2的扩散。
- 凌惠琴丁冬雁周晓强李明毛大立
- 关键词：堆栈结构HIGH-K界面层
