丁奎章
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套...
- 丁奎章宋力波王同祥冯震
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- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
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- 电子束制作3mm器件0.1μm T型栅的研究
- 本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.
- 刘玉贵罗四维王维军丁奎章
- 关键词：电子束T型栅氮化硅
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- 0.1~0.15um T型栅工艺研究及应用
- 制作0.1~0.15umT型栅,首先是考虑在频率高到一定程度时,如何减小Rgs对器件增益的影响,同时要考虑到负面效应,如栅帽顶大到一定程度,就会使Cgs增大,频率响应变差.研究0.1~0.15umT型栅形貌是本研究课题的...
- 刘玉贵王维军罗四维丁奎章周瑞
- 关键词：频率响应电子束曝光栅结构
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- 半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套...
- 丁奎章宋力波王同祥冯震
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- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法，它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备，采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程，制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
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