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太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究被引量：3: 1999年; 探讨了廉价太阳能级硅材料对电池性能可能的影响，据此对激光刻槽埋栅电池的工艺加以优化．在此基础上制作的大面积太阳电池的转换效率达到１６．５９％．; 励旭东姬成周何少琪王玉亭赵玉文于元; 关键词：太阳能级硅太阳能电池

非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系被引量：1: 1999年; 在Ｒｉｃｈａｒｄ　Ｓ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和ＰｏｒｐｏｎｔｈＳｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上，用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法，对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带隙Ｅｇ、电子迁移率μｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流人、电池效率η随Ｅｇ的增大而急剧减小，而填充因子Ｆｆ随Ｅｇ的增大而缓慢减小。Ｖｏｃ，Ｊｓｃ，η，Ｆｆ都随μｎ的增大而增大，η变化最大，其次是Ｆｆ计算结果还表明，μｎ的提高虽然能够提高Ｖｏｃ和Ｊｓｃ，但主要是通过提高Ｆｆ来改善电池的性能的．而μ０的提高增大了载流子的漂移距离，大大地改善了电池的Ｊ—Ｖ特性，从而提高了Ｆｆ和η这也体现了该类电池中的电流主要是漂移电流的特点．; 温亮生姬成周张富祥赵玉文; 关键词：非晶硅太阳电池电池性能光学带隙

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赵玉文