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刘春香
作品数:
20
被引量:17
H指数:3
供职机构:
中国电子科技集团公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨洪星
中国电子科技集团公司
赵权
中国电子科技集团公司
吕菲
中国电子科技集团公司
吕菲
中国电子科技集团公司
于妍
中国电子科技集团公司
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一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法
本发明公开了一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨;每次研磨过程中,在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常,厚度相邻的两组游星片的...
林健
徐永宽
刘玉岭
刘春香
杨洪星
吕菲
文献传递
一种砷化镓晶片清洗方法
本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法,包括以下基本步骤:1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗;2)第一次漂洗;3)第一次干燥处理;4)用紫外臭氧清洗机清洗;5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗;6)第二次漂洗;7)第二次干燥处...
徐永宽
杨洪星
刘春香
吕菲
文献传递
半导体照明工程用VB-GaAs衬底材料
牛沈军
李仕福
兰天平
王建利
周传新
林健
赵权
刘春香
在现有技术平台上,通过该项目的研究,解决了光电器件用VB-GaAs衬底材料生产中的瓶颈技术的重复性可控技术,诸如:热场设计、控制调试技术,引晶技术,成晶技术,载流子浓度控制技术,抛光片“Epi-Ready”技术等的重复可...
关键词:
关键词:
照明工程
一种砷化镓晶片清洗方法
本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法,包括以下基本步骤:(1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗;(2)第一次漂洗;(3)第一次干燥处理;(4)用紫外臭氧清洗机清洗;(5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗;(6)第二次漂洗;(7...
徐永宽
杨洪星
刘春香
吕菲
文献传递
一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法
本发明公开了一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨;每次研磨过程中,在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常,厚度相邻的两组游星片的...
林健
徐永宽
刘玉岭
刘春香
杨洪星
吕菲
文献传递
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法,该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水;以体积百分比计算,所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为(4-6):(1-3):(1-2)。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法,...
林健
赵权
刘春香
吕菲
杨洪星
于妍
佟丽英
文献传递
一种锗单晶抛光片的清洗方法
本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法。本方法采用锗单晶抛光片清洗液对锗单晶抛光片进行清洗,清洗过程分为浸泡清洗、溢流清洗以及快排冲洗三个步骤,锗单晶抛光片清洗液是由氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水三种成分组成的混合溶液...
杨洪星
陈晨
赵权
刘春香
王云彪
耿莉
文献传递
一种机械化学抛光方法
本发明公开了一种机械化学抛光方法。该方法包括以下步骤:(1)将晶片放在抛光机上进行常规机械化学抛光,包括初试轻压和重压阶段;(2)在重压抛光结束后进入最终轻压阶段,停止抛光液供给,供给一定流量的清洗溶液,直到抛光结束。所...
徐永宽
刘春香
杨洪星
吕菲
文献传递
一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法
本发明公开了一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法,该方法使用酸性腐蚀液对磷化铟切割片进行腐蚀,腐蚀过程分为两次,每次腐蚀时间为1min,每次腐蚀后放入去离子水中冲洗,两次腐蚀去除总量为2-3μm。酸性腐蚀液由硫酸、双氧水...
吕菲
于妍
赵权
杨洪星
林健
刘春香
张伟才
文献传递
一种单晶片厚度测量装置
本发明涉及一种单晶片厚度测量装置,该装置包括测试台、测试环、横梁和千分表;测试台一侧向上设有螺纹孔,螺纹孔的下侧为销孔,销孔的侧壁上设有顶丝孔,测试台的另一侧设有支架,测试环的上端面中心位置设有圆柱形凸台用于放置被测单晶...
唐文虎
杨洪星
刘春香
王云彪
陈晨
赵权
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