石建华
- 作品数：31 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 工作气压对反应等离子体沉积ITO薄膜性能的影响
- 本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退...
- 石建华孟凡英崔艳峰陆忠丹刘正新
- 关键词：ITO
- 镀膜设备
- 本实用新型提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特...
- 石建华孟凡英刘正新
- 文献传递
- 高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究被引量：3
- 2018年
- 采用反应等离子沉积（RPD）技术在玻璃衬底上制备掺W的In2O3（IWO）薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm2/（V·s）。经过退火处理后,IWO的迁移率达到120.0 cm2/（V·s）以上。基于X射线衍射（XRD）和变温霍尔效应测试分析,高迁移率主要归因于良好的结晶性以及较低的晶界势垒。最后将优化的IWO薄膜应用到薄膜硅/晶体硅异质结（SHJ）太阳电池中,高迁移率有助于提高电池的短路电流和填充因子,获得高达22.3%的光电转换效率。
- 沈磊磊孟凡英石建华石建华
- 关键词：透明导电薄膜迁移率异质结太阳电池
- 一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法
- 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复...
- 孟凡英刘奕阳刘文柱石建华刘正新
- 一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，背反射结构包括第一...
- 张丽平姚宇波刘正新刘文柱石建华
- 用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备
- 本实用新型提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴...
- 石建华孟凡英刘正新
- 文献传递
- 一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法
- 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和...
- 张丽平姚宇波刘正新孟凡英石建华刘文柱
- 文献传递
- 表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法
- 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形...
- 杜俊霖韩安军刘正新孟凡英张丽平石建华
- 文献传递
- 一种双面超薄硅基异质结太阳电池柔性光伏组件及制备方法
- 本发明涉及一种双面超薄硅基异质结太阳电池柔性光伏组件及制备方法，自上而下包括高透光柔性表面窗口层(201)、第一封装胶膜层(202)、超薄柔性SHJ太阳电池阵列(203)、高反射背膜层(204)、第二封装胶膜层(205)...
- 石建华孟凡英刘正新
- 文献传递
- 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
- 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；...
- 刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成
