丁嘉欣
- 作品数：2 被引量：12H指数：1
- 供职机构：中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器被引量：11
- 2019年
- InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm^2,短波达到538 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上,短波2.2×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。
- 朱旭波彭震宇彭震宇何英杰姚官生何英杰姚官生丁嘉欣陶飞张亮丁嘉欣李墨
- 关键词：INAS/GASB超晶格中短波焦平面阵列
- InAs/InAsSb超晶格红外中/中波双色焦平面探测器研制被引量：1
- 2022年
- 超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。双波段红外探测器能够通过对比两个波段内的光谱信息差异,对复杂的背景进行抑制,提高探测效果,在需求中尤为重要。本文开展了InAs/InAsSb超晶格中/中双色焦平面探测器设计及制备技术研究,从器件设计、材料外延、芯片加工等方面展开研究,制备了中心距30μm的320×256 InAs/InAsSb二类超晶格中/中波双色焦平面探测器。器件短中波峰值探测率达到7.2×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),中波峰值探测率为6.7×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),短中波有效像元率为99.51%,中波为99.13%,获得了高质量的成像效果,实现中中双色探测。
- 何英杰彭震宇彭震宇朱旭波李墨朱旭波丁嘉欣李墨张利学陶飞吕衍秋
- 关键词：焦平面红外探测器
