毕文婷
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第二十研究所更多>>
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- 一种利用多层辅助结构制备纳米级PMOS控制电路的方法
- 本发明提供了一种利用多层辅助结构制备纳米级PMOS控制电路的方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-Si/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀成窗口，再淀积一层SiN...
- 舒钰胡霄毕文婷张帆
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- 在微米级工艺利用辅助结构制备纳米级PMOS控制电路方法
- 本发明提供了一种在微米级工艺利用辅助结构制备纳米级PMOS控制电路方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-Si/SiN/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀成窗口，再刻蚀掉表面的SiN层，保留窗口侧面的Si...
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- 用于小型化通信系统的Turbo码编译码芯片
- 本发明提供了一种用于小型化通信系统的Turbo码编译码芯片，编码时中频数字信号输入Turbo码编码模块的输入缓冲存储器，由编码控制电路读取数据进行编码，输出数据给汉明码编码模块完成汉明码编码；译码时，中频数字信号输入汉明...
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- 一种制备具有多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路的方法
- 本发明提供了一种制备具有多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路的方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-SiGe/SiO2/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀窗口，再淀积一层SiO2；刻蚀掉表面的SiO2...
- 舒钰毕文婷陈尔钐胡霄
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- 一种用于裸芯片测试的凹槽PCB板结构及其制造方法
- 本发明提供了一种用于裸芯片测试的凹槽PCB板结构及其制造方法，首先加工一块PCB板，在其上加工与裸芯片面积和形状一样的凹槽，并加工导流槽和焊盘；然后在两块PCB板之间添加绝缘介质层，并把两个PCB板压合，两块PCB板相对...
- 毕文婷舒钰
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- 一种自适应相位调整的LVDS延时电路
- 本发明提供了一种自适应相位调整的LVDS延时电路，多级延时电路输入信号为LVDS输入数据，通过多路选择器选择输出几级延时，多路选择器的输出信号是经过延时选择后的数据信号，数据信号是自适应判定的输入信号，自适应判定确定时钟...
- 操炜鼎马跃毕文婷舒钰丁华钰吴泓江
- 一种自适应相位调整的LVDS延时电路
- 本发明提供了一种自适应相位调整的LVDS延时电路，多级延时电路输入信号为LVDS输入数据，通过多路选择器选择输出几级延时，多路选择器的输出信号是经过延时选择后的数据信号，数据信号是自适应判定的输入信号，自适应判定确定时钟...
- 操炜鼎马跃毕文婷舒钰丁华钰吴泓江
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- 用微米级工艺制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法
- 本发明提供了一种用微米级工艺制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将Poly-Si刻蚀窗口后再淀积一层SiO<Sub>2</Su...
- 舒钰陈尔钐毕文婷胡霄
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- 一种用于裸芯片测试的双凹槽PCB板结构及其制造方法
- 本发明提供了一种用于裸芯片测试的双凹槽PCB板结构及其制造方法，首先加工一块PCB板，在其上加工与裸芯片面积和形状一样的凹槽，并加工导流槽和焊盘；然后加工第二块PCB板，在其上加工面积大于第二级凹槽及导流槽的贯通槽；在相...
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- 基于DOB工艺的卫星导航抗干扰专用裸芯片测试板设计
- 2017年
- 针对卫星导航抗干扰专用芯片,为了在裸芯片封装前能够更快速地进行芯片功能测试,采用DOB工艺,将芯片裸片分别装联到常规矩形排列的PCB焊盘和优化后交错排列的PCB焊盘上,通过破坏性拉力实验对比发现,键合强度存在较大差异,经过优化的PCB焊盘设计更能满足DOB工艺需求,此外通过对比焊盘优化后承载裸芯片的PCB和承载封装后芯片的PCB电性能参数,验证了基于DOB工艺裸芯片测试的可行性,提高芯片测试效率,为芯片优化和上市节约时间,降低成本。
- 毕文婷赵志平舒钰
- 关键词：裸芯片
