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王晓晗

作品数:2 被引量:10H指数:2
供职机构:工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电路
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态效应
  • 1篇自测试
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇集成电路
  • 1篇计算方法

机构

  • 2篇工业和信息化...
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 2篇雷志锋
  • 2篇王晓晗
  • 1篇张战刚
  • 1篇杨元政
  • 1篇张科营
  • 1篇恩云飞
  • 1篇郭红霞
  • 1篇郭刚
  • 1篇刘远
  • 1篇高丽娟
  • 1篇刘健波

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法被引量:2
2014年
文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级.随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.
王晓晗郭红霞雷志锋郭刚张科营高丽娟张战刚
关键词:蒙特卡罗单粒子翻转
集成电路单粒子瞬态效应与测试方法被引量:8
2014年
随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。
刘健波刘远恩云飞雷志锋王晓晗杨元政
关键词:单粒子效应
共1页<1>
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