吴亚宁
- 作品数:1 被引量:0H指数:0
- 供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 高深宽比石英结构的NLD刻蚀
- 2017年
- 基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
- 吴亚宁张伟王逸群黄健缪小虎王进金晓盛
- 关键词:石英高深宽比刻蚀