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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇石英
  • 1篇刻蚀
  • 1篇高深宽比
  • 1篇AR

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇王逸群
  • 1篇黄健
  • 1篇张伟
  • 1篇金晓盛
  • 1篇王进
  • 1篇吴亚宁

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2017
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
高深宽比石英结构的NLD刻蚀
2017年
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
吴亚宁张伟王逸群黄健缪小虎王进金晓盛
关键词:石英高深宽比刻蚀
共1页<1>
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