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李婉莹

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：新余学院新能源科学与工程学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化亚铜
  • 1篇子结构
  • 1篇镧掺杂
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇铈
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇新余学院

作者

  • 1篇吴欢文
  • 1篇刘勇
  • 1篇李婉莹

传媒

  • 1篇新余学院学报

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
铈和镧掺杂氧化亚铜的第一性原理理论研究被引量：3
2017年
氧化亚铜(Cu2O)是一种p型直接带隙半导体,利用基于密度泛函理论的第一性原理计算对铈(Ce)和镧(La)掺杂Cu2O的电子结构和光学性质进行了理论研究。结果表明,掺杂使得半导体由直接带隙转向间接带隙。Ce和La主要表现为施主型浅能级杂质,在导带底部引入了浅能级,能够形成局部p-n结构。这样的电子结构有利于增加光生载流子寿命,有利于光生载流子的分离,从而有利于光催化活性的提高。光学性质计算结果显示,掺杂后半导体在整个太阳光谱范围内,光吸收效果增强。
刘勇吴欢文李婉莹
关键词：氧化亚铜电子结构光学性质第一性原理
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共1页<1>
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