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李维

作品数：26 被引量：14H指数：2
供职机构：中航工业北京长城计量测试技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 12篇激光
  • 7篇微腔
  • 7篇芯片
  • 6篇气室
  • 6篇激光器
  • 5篇原子
  • 5篇微环
  • 5篇微环谐振
  • 5篇微环谐振腔
  • 5篇谐振腔
  • 5篇包层
  • 5篇波导
  • 4篇激光频率
  • 4篇光频率
  • 4篇光子
  • 3篇氮化硅
  • 3篇稳频
  • 3篇金属
  • 3篇碱金属
  • 3篇波导结

机构

  • 25篇中航工业北京...
  • 1篇中国航空工业...

作者

  • 26篇李维
  • 9篇武腾飞
  • 3篇王宇
  • 1篇蔡静
  • 1篇梁志国
  • 1篇张力

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇计测技术

年份

  • 6篇2024
  • 6篇2023
  • 7篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高温面源辐射源制备方法
本发明涉及一种高温面源辐射源制备方法，属于热辐射测量领域。本发明通过引入超快激光微加工技术，提供了一种高温面源辐射源制备方法。选择合适的材料作为面源辐射源的基板，然后利用超快激光加工的方法在基板表面形成特定的结构。在加工...
李维温悦武腾飞蔡静
文献传递
一种集成式微腔光梳芯片封装结构及封装方法
本发明公开的一种集成式微腔光梳芯片封装结构及封装方法，属于硅基光器件制备技术领域。本发明采用垂直结构，构成从下到上依次为微腔芯片、焊球、激光器芯片。激光器芯片用于提供光源，焊球用于控制两芯片键合的角度，微腔芯片用于产生光...
冯梁森李维陈佳旭
一种混合集成的微腔光频梳芯片结构及其制备方法
本发明公开的一种混合集成的微腔光频梳芯片结构及其制备方法，属于集成光电器件制备和芯片化计量技术领域。本发明包括微腔光频梳芯片衬底、激光器、单边带调制器、强度调制器和微环谐振腔。本发明通过调节激光器芯片、单边带调制器芯片、...
冯梁森李维李昱东刘雅丽李小宽
文献传递
一种提升碱金属纯度的气室及实现方法
本发明公开的一种提升碱金属纯度的气室及实现方法，属于原子精密光谱测量技术领域。本发明利用玻璃吹制法制作非对称双气室，即碱金属工作气室、缓冲气体气室。利用非对称双气室的压差分离缓冲气体。碱金属工作气室内为碱金属蒸汽与缓冲气...
李小宽李维李昱东刘雅丽冯梁森
文献传递
用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法
一种用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法，包括：硅片上生长二氧化硅作为下包层；下包层上生长氮化硅作为缓冲层；缓冲层上生长二氧化硅作为掩膜层，再将其制备成长条形、方形或者圆形的周期性结构；在具有周期性结构的缓冲层上分多步...
冯梁森李维李昱东武腾飞
一种原子气室的无磁温控装置及石墨烯透明导线制备方法
本发明公开的一种原子气室的无磁温控装置及石墨烯透明导线制备方法，属于量子精密测量装置。本发明的装置包括原子气室、石墨烯透明加热导线和温度控制装置。利用石墨烯高透光性、高机械强度和高导热系数，在原子气室表面制备石墨烯透明加...
刘雅丽李维李昱东李小宽冯梁森
一种微腔芯片及其制备方法
本发明提供一种微腔芯片及其制备方法，其中，微腔芯片的制备方法包括：准备晶圆衬底；在衬底上进行低折射率材料的下包层生长；在下包层中生长高折射率材料的第一芯层；在所述第一芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的一个的光...
李昱东李维 冯梁森 尤建琦 李小宽 刘雅丽
文献传递
一种提升碱金属纯度的气室及实现方法
本发明公开的一种提升碱金属纯度的气室及实现方法，属于原子精密光谱测量技术领域。本发明利用玻璃吹制法制作非对称双气室，即碱金属工作气室、缓冲气体气室。利用非对称双气室的压差分离缓冲气体。碱金属工作气室内为碱金属蒸汽与缓冲气...
李小宽李维李昱东刘雅丽冯梁森
一种微型原子气室的制备方法
本发明公开的一种微型原子气室的制备方法，属于原子气室制备技术领域。本发明主要基于CMOS平台兼容的MEMS深硅刻蚀方法实现微型原子气室腔体，采用键合的方式实现微型原子气室的封闭，采用微通道连通的非对称双气室结构避免微型原...
李昱东刘雅丽李维李小宽冯梁森
黑硅红外探测器研究进展被引量：3
2016年
黑硅材料具有良好的光学吸收特性,广泛用于太阳能电池和红外探测器的制备中。基于黑硅材料制备的探测器具有光谱响应度大、响应范围宽、响应曲线较为平直等优点,介绍了黑硅红外探测器国内外的研究进展,其中涉及的黑硅制备方法包括飞秒激光辐照、皮秒激光辐照、湿法腐蚀、离子注入结合准分子纳秒激光辐照。讨论了目前黑硅红外探测器制备中存在的问题,包括黑硅在退火过程中吸收率下降严重以及黑硅表面电极制备难、载流子横向输运能力差等问题。对存在的问题进行了分析,总结了当前的解决方法,展望了黑硅红外探测器的发展趋势和应用前景。
李维王宇武腾飞
关键词：探测器红外探测器光谱响应
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