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李轶楠

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电镀
  • 1篇电镀铜
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇镀铜
  • 1篇填充率
  • 1篇通孔
  • 1篇硅

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇蔡坚
  • 1篇魏体伟
  • 1篇王德君
  • 1篇王谦
  • 1篇李轶楠

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅通孔电镀铜填充工艺优化研究被引量：2
2012年
研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺,通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先,在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度,研究不同电流密度对于铜填充的影响,确定优化电流密度为1ASD(ASD:平均电流密度)。之后,在相同电流密度下,详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明,采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100%。
李轶楠蔡坚王德君王谦魏体伟
关键词：电镀电流密度填充率
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