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抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1: 2008年; 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。; 索思卓库黎明黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓阎志瑞; 关键词：抛光垫化学机械抛光 HAZE

300mm硅片表面延性磨削机理研究: 2009年; 根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。; 葛钟库黎明陈海滨盛方毓索思卓闫志瑞; 关键词：损伤层

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陈海滨