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马洪霞

作品数:3 被引量:16H指数:2
供职机构:清华大学电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇GAN
  • 1篇等离子体
  • 1篇散热
  • 1篇散热设计
  • 1篇能谱
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇功率
  • 1篇俄歇电子
  • 1篇俄歇电子能谱
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇P型
  • 1篇P型GAN
  • 1篇AES
  • 1篇AL2O3
  • 1篇BCL

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇罗毅
  • 3篇韩彦军
  • 3篇马洪霞
  • 2篇张贤鹏
  • 2篇钱可元
  • 1篇江洋
  • 1篇申屠伟进
  • 1篇刘中涛
  • 1篇薛小琳

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量:1
2007年
利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。
薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅
关键词:刻蚀速率
基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量:3
2006年
提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。
马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元
关键词:GAN欧姆接触
大功率氮化镓基白光LED模组的散热设计被引量:12
2007年
散热设计是大功率发光二极管(LED)模组结构设计的重要环节。首先利用计算流体力学方法对自然对流条件下大功率LED模组的温度场进行了模拟,提出并优化了模组可采用的散热片结构,进而对影响模组散热的其他关键因素进行了分析,结果表明,提高关键封装材料如银胶的热导率能够有效地降低芯片温度,提高芯片温度均匀性;多芯片封装时芯片的整体温度及均匀性相对于单芯片封装皆有改善。优化后的封装结构在5 W电功率注入条件下,芯片结温约60℃。
马洪霞钱可元韩彦军罗毅
关键词:散热LEDGAN
共1页<1>
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