- 干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取被引量：2
- 2018年
- 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。
- 李海燕谭振陈慧卿亢喆
- 关键词：锑化铟感应耦合等离子体刻蚀表面形貌化学计量比
- InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究被引量：1
- 2020年
- 在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤。InAs/GaSbⅡ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。
- 程雨鲍英豪肖钰李春领亢喆刘铭
- 关键词：INAS/GASB表面形貌长波红外探测器
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究
- 2021年
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 m的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W^(-1),盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 m。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。
- 温涛邢伟荣李海燕李春领刘铭李忠贺郭喜亢喆张智超陈彦冠
- 关键词：长波红外焦平面阵列
- 基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片被引量：2
- 2014年
- 研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。
- 亢喆邱国臣
- 关键词：锑化铟热扩散
- InAs/GaSb二类超晶格材料湿法腐蚀工艺研究被引量：3
- 2018年
- 研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑(InAs/GaSb)二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸(C_6H_8O_7)、磷酸(H_3PO_4)、过氧化氢(H_2O_2)构成的混合腐蚀液。这种腐蚀液对InAs/GaSb材料腐蚀速率稳定,腐蚀后表面光滑,且下切效应小。同时,研究了该成分腐蚀液不同腐蚀液温度、浓度和各成分配比等条件对InAs/GaSb材料腐蚀速率,形貌和钻蚀情况的影响。根据实验结果配制了体积比为1∶1∶1∶40的柠檬酸(50%):磷酸(85%):过氧化氢(31%):水的腐蚀溶液,室温(20℃)下腐蚀速率约为9.48 nm/s。
- 亢喆温涛郭喜
- 关键词：湿法腐蚀
- 低应力PECVD氮化硅薄膜的制备被引量：4
- 2009年
- 研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右;在此基础上采用不同高低频时间比的混频工艺实现了对氮化硅薄膜应力的调控,且在高低频时间比为5∶1时获得了应力仅为10MPa的极低应力氮化硅薄膜。
- 亢喆黎威志袁凯蒋亚东
- 关键词：PECVD射频混频氮化硅应力
- InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究被引量：1
- 2021年
- 研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前。通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有Al和As等杂质元素,存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患。杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级,加载电压后容易导致PN结漏电流较高,使I-V特性退化,从而形成过热盲元。通过缩短器具洗液的更换周期并且分隔使用多个生产线的器具,可以减少材料表面的杂质附着,使区域性过热盲元问题得到有效解决。
- 程雨龚志红肖钰黄婷温涛亢喆宁提
- 关键词：INSB红外探测器
- InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究被引量：6
- 2016年
- 传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。
- 谭振亢喆李海燕
- 关键词：锑化铟台面刻蚀刻蚀速率
- 平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究被引量：4
- 2015年
- 研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
- 李忠贺李海燕杜红燕亢喆邱国臣
- 关键词：锑化铟离子注入平面结
- PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究被引量：11
- 2010年
- 研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理。找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数。
- 亢喆黎威志袁凯蒋亚东
- 关键词：氧化硅淀积速率折射率
