古迪
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：广东石油化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：文化科学理学机械工程电子电信更多>>
- 一种变温四探针测量系统
- 本实用新型公开了一种变温四探针测量系统，所述真空腔内置有“匸”字型的四探针支架，所述四探针支架的底部设置有加热台，所述加热台与真空腔外部的温控仪连接，所述四探针支架的顶部设置有可升降的耐高温探头，所述耐高温探头与真空腔外...
- 古迪朱伟玲李天乐徐祥福王晓芳陈星源
- 文献传递
- 一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件
- 本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二Ge...
- 朱伟玲陈星源古迪
- 文献传递
- 基于中空三棱柱透镜的透明溶液浓度测量装置
- 本实用新型公开了一种基于中空三棱柱透镜的透明溶液浓度测量装置，包括光路形成单元和图像采集单元；光路形成单元包括依光路设置的激光发射器、凸透镜和中空三棱柱透镜，激光发射器发射的光束经凸透镜后成为平行光束，平行光束穿过盛有溶...
- 古迪柯予豪朱伟玲李容李康彬黄诗琪郑永铭陈昊
- 基于中空三棱柱液柱透镜测量液体扩散系数的测量装置
- 本实用新型公开了一种基于中空三棱柱液柱透镜测量液体扩散系数的测量装置，包括在水平的测量平台上沿光路设置的光源和中空三棱柱，光源与中空三棱柱之间设置有凸透镜，中空三棱柱在光路后方设置有光屏。本实用新型的基于中空三棱柱液柱透...
- 古迪卢英杰徐金辉陈丽洁吴科延黄曼莉罗国平
- 文献传递
- 基于中空三棱柱透镜的透明溶液浓度测量装置及测量方法
- 本发明公开了一种基于中空三棱柱透镜的透明溶液浓度测量装置及测量方法，其测量方法包括如下步骤：定位标识、装置组装、CCD传感器调节、初始位置测量、理论偏移值测量、标样溶液配制、实际偏移值测量、浓度标尺拟合、样品偏移值测量、...
- 古迪柯予豪朱伟玲李容李康彬黄诗琪陈昊
- 大学物理光学仿真实验的设计被引量：4
- 2021年
- 在光学干涉基本理论的基础上,以杨氏双缝干涉和光学拍为例,利用MatLab软件实现了其光学实验的仿真。仿真实验结果形象生动地展现了其中的规律,可让学生更好地理解光学知识的理论内容。同时,设计了由GUI界面组成的光学干涉演示平台,结果表明,该平台具有人机界面友好、操作简单、参数可调等优点,为学习光学知识提供有益的支持。
- 古迪朱伟玲
- 关键词：大学物理实验MATLAB仿真
- 一种平稳可控的磁悬浮演示装置
- 本实用新型公开了一种平稳可控的磁悬浮演示装置，包括凵型轨道，所述凵型轨道内悬空设置有等腰梯形车体，所述等腰梯形车体顶部通过平衡板设置有电路控制器，所述凵型轨道底部内壁、等腰梯形车体下底外壁、两腰内壁和上底内壁均设有永磁铁...
- 古迪周青云黄楚仲钟婷婷吴红梅张周粮朱伟玲
- 一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件
- 本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二Ge...
- 朱伟玲陈星源古迪
- 文献传递
- ZnO/GaN核/壳异质结纳米线能带结构和电荷分离的理论研究
- 2018年
- 采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶(VBM)和导带底(CBM)的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体电荷分离效应。GaN和ZnO组成的核/壳纳米线均保持本征GaN和ZnO纳米线的直接带隙性质。在ZnO包裹GaN的核壳纳米线结构中,不同比例的ZnO和GaN之间电荷转移均不明显,VBM和CBM电荷分布基本都是由壳层的ZnO的O原子占据,难于实现VBM和CBM电荷空间分离。在GaN包裹ZnO的核壳纳米线结构中,VBM电荷和CBM电荷分布分别主要由壳层的N原子占据和核层的O原子占据,同时ZnO和GaN之间的电荷转移量相对较大,容易形成较大的核壳内置电场,有利于促进空间电荷分离,并且随着ZnO的比例增加电荷转移量也相应增加,能有效的促进电荷分离有利于制备成Ⅱ型半导体。
- 陈星源罗文杰赖国霞古迪朱伟玲徐祥福
- 关键词：第一性原理电荷分离
- Si-P掺杂石墨烯的稳定性和能带结构的理论研究被引量：1
- 2017年
- 采用基于紧束缚密度泛函的计算方法,研究比较了Si掺杂、P掺杂、Si-P掺杂石墨烯的稳定性和能带结构。在Si和P掺杂的石墨烯体系中,发现在掺杂元素方面,Si掺杂石墨烯比P掺杂石墨烯稳定;在掺杂方式方面,高对称性的对位掺杂石墨烯结构的形成能较低,比较稳定。Si掺杂石墨烯的能带结构在G点产生了约0.1 eV的带隙,从良导体过渡到了半导体。在P或Si-P掺杂石墨烯体系中,费米能级上升而穿过价带,使掺杂系统保持金属性。态密度计算表明,P或Si-P掺杂石墨烯体系中费米能级附近主要由P原子的3p态电子和C原子的2p态电子占据,主要的电子性质与P的3p轨道和C的2p轨道相互作用有关。
- 牛群磊赖国霞黄小兰罗延古迪陈星源朱伟玲
- 关键词：稳定性
