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姜俊

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇隧道结
  • 3篇磁性隧道结
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇振荡电路
  • 2篇势垒层
  • 2篇外磁场
  • 2篇负微分电阻
  • 2篇磁层
  • 2篇磁场
  • 1篇带宽
  • 1篇单晶
  • 1篇FE
  • 1篇MGZNO

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇韩秀峰
  • 3篇姜俊
  • 2篇郭鹏
  • 2篇张晓光
  • 2篇张轩
  • 1篇马勤礼
  • 1篇魏红祥
  • 1篇王守国
  • 1篇杨光

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
单晶Fe/MgZnO/Fe磁性隧道结中势垒带宽的调控
MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一.铅锌矿结构的ZnO薄膜的...
李大来马勤礼王守国杨光刘家龙姜俊魏红祥韩秀峰
具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件
本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之...
姜俊张轩郭鹏张晓光韩秀峰
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具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件
本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之...
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