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程祥

作品数:2 被引量:5H指数:1
供职机构:四川大学物理科学与技术学院应用物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇动力学
  • 1篇正电子
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇空位
  • 1篇半导体
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇DLTS
  • 1篇GA
  • 1篇MONTE_...
  • 1篇AS

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 2篇喻菁
  • 2篇龙娟娟
  • 2篇邓爱红
  • 2篇张英杰
  • 2篇程祥
  • 1篇周宇璐
  • 1篇幸浩洋
  • 1篇余鑫祥
  • 1篇陈燕
  • 1篇于鑫翔

传媒

  • 2篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量:4
2008年
本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ~Ⅴ,Ⅱ~Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02eV.
张英杰邓爱红幸浩洋龙娟娟喻菁于鑫翔程祥
关键词:正电子半导体
钚中空位对氦泡生长影响的动力学Monte Carlo研究被引量:1
2010年
对于氦在金属中的行为特性研究,人们已经做了大量工作;但对于金属钚,这方面的工作仍然非常少.钚的自辐照效应可以在自身引入大量的空位和氦原子,这些空位及氦原子扩散、聚集,会对材料性能造成不良影响.本文采用动力学Monte Carlo(KMC)方法,分别建立了纯氦模型和空位模型,进行模拟研究,发现空位对氦泡生长速度、生长形态都有明显的影响.
余鑫祥邓爱红程祥周宇璐张英杰喻菁陈燕龙娟娟
关键词:空位
共1页<1>
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