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郭祖佑

作品数:5 被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院兰州物理研究所更多>>
相关领域:航空宇航科学技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇射线
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇Γ射线
  • 1篇电控制器
  • 1篇电路拓扑
  • 1篇电源
  • 1篇有源箝位
  • 1篇驱动电路
  • 1篇箝位
  • 1篇拓扑
  • 1篇空间电源
  • 1篇剂量率
  • 1篇功率
  • 1篇功率调节
  • 1篇复位
  • 1篇SPT
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇充电

机构

  • 5篇中国科学院兰...

作者

  • 5篇郭祖佑
  • 3篇王卫国
  • 2篇田恺
  • 2篇曹洲
  • 2篇杨世宇
  • 2篇薛玉雄
  • 1篇刘克承
  • 1篇侯天明
  • 1篇任怡静

传媒

  • 2篇通信电源技术
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇上海航天

年份

  • 3篇2010
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种正激有源箝位驱动电路拓扑
2010年
采用有源箝位复位方式能够有效提高变换器的效率,然而箝位开关管的增加提高了控制电路的难度,文章中设计了一种简单的驱动电路,解决了开关管之间的延时问题,实验结果证实该方案有效提高了变换器的效率。
任怡静王卫国郭祖佑
关键词:有源箝位驱动电路复位
星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究被引量:2
2008年
本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平。
薛玉雄曹洲郭祖佑杨世宇田恺
关键词:功率MOSFET器件总剂量效应Γ射线
剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响被引量:4
2008年
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。
薛玉雄曹洲郭祖佑杨世宇田恺
关键词:功率MOSFET器件Γ射线剂量率总剂量效应
从国外典型SPT-PPU看其现状和发展趋势
2010年
文中介绍了静态等离子推力器(SPT)PPU的主要功能组成,着重分析了研发难度最大的阳极电源的国外研发现状,并对各国的电路拓扑进行了分析比较,最后展望了其未来发展的趋势。
侯天明王卫国郭祖佑刘克承
空间电源功率调节技术综述被引量:15
2010年
介绍了空间电源功率调节装置(PCU)的分流调节器(SR),蓄电池的充电控制器(BCR)、放电控制器(BDR)和主误差放大器(MEA)的原理和技术现状。阐述了顺序开关分流调节(S3R)、混合型调节和顺序开关分流串联调节(S4R)三种基本拓扑的工作原理,并对三者进行了性能比较,认为S4R是目前最先进的调节技术。讨论了功率调节装置模块化、智能化和小型化的发展趋势并分析了大功率的功率调节装置研制难点。
郭显鑫郭祖佑王卫国
关键词:充电控制器
共1页<1>
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