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吴文蓉

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇选择比
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇GAAS材料
  • 1篇ICP刻蚀

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇张露
  • 1篇孙丽媛
  • 1篇邹德恕
  • 1篇马莉
  • 1篇高志远
  • 1篇吴文蓉

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响被引量：7
2012年
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象。在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象。
孙丽媛高志远张露马莉吴文蓉邹德恕
关键词：ICP刻蚀光刻胶
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共1页<1>
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