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孙建伟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇无片外电容
  • 1篇线性稳压器
  • 1篇LDO

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇陈志铭
  • 1篇刘自成
  • 1篇孙建伟

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种快速瞬态响应的无片外电容LDO
2016年
设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4-5V时,该LDO的输出电压为1.2V,最大负载电流为300mA;负载电流在1mA和300mA间变化时,最大过冲电压为76.5mV,响应时间仅为1.5μs。
孙建伟刘自成陈志铭
关键词：无片外电容线性稳压器
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共1页<1>
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