陈振中
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金模拟集成电路重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计被引量：11
- 2018年
- 在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。
- 青旭东钟黎王永禄秦少宏陈振中
- 关键词：电压基准源低温漂
- 一种0.6V CMOS基准电压源的设计
- 2017年
- 基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0.6~2.0V范围内变化,基准输出电压仅变化了1.75mV;在0.6V电源电压下,-20℃~125℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-5)/℃,电源抑制比为52.47dB@10kHz,整个电路的功耗仅为12μW。
- 胡云斌胡永贵周勇顾宇晴陈振中
- 关键词：CMOS
- 一种CMOS超高速主从式采样/保持电路被引量：2
- 2017年
- 基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5GHz,峰-峰值为0.4V的正弦波信号,采样率为2.5GS/s,负载为0.8pF时,电路的无杂散动态范围(SFDR)为78.31dB,总谐波失真(THD)为-75.69dB,有效位为11.51位,可用于超高速A/D转换器中。
- 陈振中王永禄胡蓉彬陈繁胡云斌
- 关键词：CMOS主从式超高速A/D转换器
- 高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究
- 2017年
- 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
- 陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟
- 关键词：GE组分分布击穿电压异质结双极晶体管
