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韩艳玲

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院光电技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇色散
  • 1篇色散关系
  • 1篇退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇快速退火
  • 1篇硅片

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇李斌成
  • 1篇高卫东
  • 1篇刘显明
  • 1篇韩艳玲

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究
2010年
离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低.
刘显明李斌成高卫东韩艳玲
关键词:离子注入色散关系
共1页<1>
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