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高宁

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:江南大学信息工程学院更多>>
发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇存储器
  • 4篇静态存储器
  • 3篇SRAM
  • 2篇阵列
  • 2篇灵敏放大器
  • 1篇低功耗
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇随机存储器
  • 1篇微米
  • 1篇现场可编程
  • 1篇现场可编程门...
  • 1篇门阵列
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇开关矩阵
  • 1篇可编程门阵列
  • 1篇功耗
  • 1篇FPGA

机构

  • 5篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇于宗光
  • 5篇施亮
  • 5篇高宁
  • 2篇侯卫华
  • 1篇刘战
  • 1篇张惠国
  • 1篇刘明锋

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子与封装
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种新型灵敏放大器的设计被引量:2
2007年
文章分析了基本锁存器型灵敏放大器结构,总结了其优缺点,在此基础上设计出一种高速低功耗的SRAM灵敏放大器,在输入差分信号建立之后,读出放大时间在最坏情况下需0.5ns。利用两级敏感放大器的层次式结构,一方面使第一级放大的信号成为真正的数字信号,另一方面增加了电路的驱动能力。
高宁施亮于宗光
关键词:静态存储器灵敏放大器
深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究被引量:2
2007年
文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析。并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响,并利用Hspice软件进行了仿真。仿真结果显示,理论分析的结果与实际相吻合。
施亮高宁于宗光
关键词:深亚微米静态随机存储器
一种阵列布局优化的256kb SRAM被引量:6
2007年
介绍了一种阵列布局优化的256 kb(8 k×32位)低功耗SRAM。通过采用分级位线和局部灵敏放大器结构,减少位线上的负载电容;通过电压产生电路,获得写操作所需的参考电压,降低写操作时的位线电压摆动幅度,有效地减少了SRAM读写操作时的动态功耗。与传统结构的SRAM相比,该256 kb SRAM的写功耗可减少37.70 mW。
施亮高宁于宗光
关键词:静态存储器灵敏放大器
FPGA中通用互连结构的设计与优化
2007年
介绍了一款基于SRAM技术的FPGA电路的通用互连结构。在对其通用互连线的延时模型进行分析的基础上,提出了一种改进的互连结构。基于CSMC 0.6μm工艺下的SPICE仿真及流片结果表明,改进后的互连结构性能提高了约10%。
侯卫华张惠国刘战高宁施亮刘明锋于宗光
关键词:静态存储器现场可编程门阵列开关矩阵
用于SRAM的低功耗位线结构被引量:3
2006年
提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压。在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低。仿真表明,该结构使功耗大大节省。
高宁施亮侯卫华于宗光
关键词:静态存储器低功耗
共1页<1>
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