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李堂艳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇制备及性能
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率

机构

  • 1篇华南理工大学
  • 1篇湄洲湾职业技...

作者

  • 1篇刘玉荣
  • 1篇王智欣
  • 1篇虞佳乐
  • 1篇吴丽明
  • 1篇刘超
  • 1篇李堂艳

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
聚合物薄膜晶体管的制备及性能被引量：1
2009年
以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管。器件的制备和测试都是在空气环境中完成。该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5cm2/(V.s),开关电流比大于2×103。通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率。
刘玉荣吴丽明虞佳乐王智欣刘超李堂艳
关键词：迁移率退火处理
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共1页<1>
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