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沈世龙
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
杭州电子科技大学电子信息学院
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发文基金:
浙江省自然科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨宝
杭州电子科技大学电子信息学院
岳亚富
杭州电子科技大学电子信息学院
胡晓萍
杭州电子科技大学电子信息学院
邱晓军
杭州电子科技大学电子信息学院
张海鹏
杭州电子科技大学电子信息学院
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电子电信
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1篇
漂移区
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SOI
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LIGBT
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MC
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新结构
机构
1篇
杭州电子科技...
作者
1篇
张海鹏
1篇
邱晓军
1篇
胡晓萍
1篇
岳亚富
1篇
杨宝
1篇
沈世龙
传媒
1篇
电子器件
年份
1篇
2006
共
1
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相关度排序
被引量排序
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DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性
被引量:2
2006年
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能PowerICs应用的同心圆环源漏互包SOILIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
张海鹏
邱晓军
胡晓萍
沈世龙
杨宝
岳亚富
关键词:
SOI
LIGBT
新结构
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