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沈世龙

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇漂移区
  • 1篇SOI
  • 1篇DRT
  • 1篇LIGBT
  • 1篇MC
  • 1篇新结构

机构

  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 1篇张海鹏
  • 1篇邱晓军
  • 1篇胡晓萍
  • 1篇岳亚富
  • 1篇杨宝
  • 1篇沈世龙

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性被引量:2
2006年
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能PowerICs应用的同心圆环源漏互包SOILIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
张海鹏邱晓军胡晓萍沈世龙杨宝岳亚富
关键词:SOILIGBT新结构
共1页<1>
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