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郭鑫

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇晶体
  • 1篇硼
  • 1篇碳

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇周春锋
  • 1篇赖占平
  • 1篇林健
  • 1篇张亮
  • 1篇郭鑫
  • 1篇吴元庆

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制被引量：8
2007年
在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。
周春锋林健郭鑫吴元庆张亮赖占平
关键词：砷化镓碳硼
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