您的位置: 专家智库 > >

谌为

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇英文
  • 1篇手性
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇密度泛函理论...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论

机构

  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 1篇李峰
  • 1篇刘畅
  • 1篇尹利长
  • 1篇谌为

传媒

  • 1篇新型炭材料

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
单壁碳纳米管改变手性外延生长的密度泛函理论研究(英文)
2016年
采用密度泛函理论计算系统研究了单壁碳纳米管(Single-walled carbon nanotube,SWCNT)改变手性外延生长(手性指数从(n,m)变化到(n±Δ,m±Δ),其中Δ=1和2)的热力学过程。结果表明,碳管手性变化后外延生长在热力学上都需要吸收能量,其所需吸收的能量随着管径的减小线性减小。在Δ=1的情况下,由于近扶手椅型碳管改变手性时,所引入的5~7元环对与管轴的夹角比近锯齿型碳管更大,导致5~7元环对的形成能增加,使得管径相同的近扶手椅型碳管比近锯齿型碳管在改变手性生长时需要吸收更多的能量。在Δ=2的情况下,发现只有当两个必须引入的5~7元环对相互毗邻,手性改变的外延生长所需能量最小,预测其为实验上最易于实现的碳管手性指数由(n,m)变化到(n±Δ,m±Δ)的外延生长模式。这些理论研究结果有助于深入理解SWCNTs手性变化后外延生长的热力学行为,可为基于外延生长可控制备单一手性SWCNTs提供理论依据。
谌为李峰刘畅尹利长
关键词:单壁碳纳米管密度泛函理论
共1页<1>
聚类工具0