- 基于AOCV的低功耗标准单元设计被引量：3
- 2017年
- 近年来,物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法,但是随着电压的降低,电路的性能也会急剧下降。针对这一问题,本文运用AOCV的时序分析方法,使得电路设计在保证性能的基础上,最大程度地降低工作电压。在先进工艺下,运用AOCV方法能够使得工作电压由1.05 V降为1 V左右,在典型工艺角下的功耗得到了有效降低,同时保证了电路的速度和时序要求。
- 张振鹏张立军郑坚斌于跃索超李有忠
- 关键词：低功耗
- Ge_2Sb_2Te_5相变存储器导电机制研究
- 2011年
- 本文研究了Ge2Sb2Te5相变存储器的导电机制。本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型。计算结果表明,激活能随电压增加呈双曲余切的下降趋势,符合测量结果。该模型还包含了温度效应,结果表明跳跃间距与温度成反比。最后的计算结果与不同温度下的I-V测量结果一致,和实验观察到的I-V特征也很好地吻合。
- 李亦清王子欧李有忠陈智毛凌锋
- 关键词：相变存储器
- 表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响被引量：2
- 2012年
- 建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型,在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大,源漏电流下降越多.
- 陈智王子欧李亦清李有忠毛凌锋
- 关键词：石墨烯场效应晶体管电流
- 基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
- 2015年
- 在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
- 李二亮张立军李有忠张其笑姜伟胡玉青
- 关键词：静态随机存取存储器温度补偿蒙特卡罗
- 基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计被引量：3
- 2017年
- 随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的工艺角,给出最合适的负偏压大小,使得SRAM漏电流得到最大程度的降低。仿真结果表明,SMIC 40nm工艺下,和未采用字线负偏压技术的6管SRAM存储单元相比,该技术在典型工艺角下漏电流降低11.8%,在慢速工艺角下漏电流降低能到达29.1%。
- 冯李张立军郑坚斌王林李有忠张振鹏
- 关键词：静态功耗低功耗SRAM
- 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型
- 2011年
- 提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明:源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重.
- 李亦清王子欧李文石李有忠陈智毛凌锋
- 关键词：量子效应短沟道效应表面势
