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王祯祥

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇温度
  • 1篇温度特性
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇闫冬
  • 1篇邬海峰
  • 1篇傅海鹏
  • 1篇王祯祥

传媒

  • 1篇南开大学学报...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN HEMT高效功率放大器电路温度特性研究被引量：1
2016年
研究了GaN HEMT开关功率放大器的交流电流和微波性能随温度的变化.研究结果表明,GaN HEMT的高温退化将导致开关功放工作电流及小信号增益(S_(21))随温度升高逐渐下降,其中GaN HEMT的电压与电容特性的温度变化和膝点电压的高温退化将影响开关功放输出阻抗匹配.在120℃时,开关功放大信号状态下的交流电流退化更明显;同时由于高温退化所导致的阻抗失配,功放的S_(21)增益和输出功率会进一步下降.
王祯祥傅海鹏邬海峰闫冬
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大器温度特性
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共1页<1>
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