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常亮亮

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:西北工业大学理学院更多>>
发文基金:航天支撑技术基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇LA
  • 2篇溶胶
  • 2篇CA
  • 2篇X
  • 2篇MNO
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇性能表征
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶工...
  • 1篇阻温特性
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钙钛矿相
  • 1篇半导化
  • 1篇SOL-GE...
  • 1篇TIO
  • 1篇O

机构

  • 5篇西北工业大学

作者

  • 5篇殷明志
  • 5篇常亮亮
  • 4篇杨亮亮

传媒

  • 2篇绝缘材料
  • 2篇材料开发与应...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 4篇2011
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
溶胶-凝胶法SrIn_xTi_(1-x)O_3薄膜的制备及表征被引量:1
2011年
以Sr(OOCCH3)2·H2O,In(NO3)3.41/2H2O及Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3(SITO)薄膜。SITO凝胶薄膜经过575~725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5~20 h。
常亮亮殷明志
关键词:溶胶-凝胶法
La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3多晶薄膜的sol-gel法制备及表征
2011年
以La、Ca、Mn的无机盐替代相应的醇盐,以冰乙酸为溶剂,乙酰丙酮(AcAc)为螯合剂,采用sol-gel法在Si(110)衬底上制备了La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)多晶薄膜,并用FTIR、XRD、SEM、EDS和TEM等分析手段对薄膜进行了表征,通过不同磁场下电阻-温度(R-T)曲线,研究了样品的输运性质及庞磁电阻(CMR)效应。结果表明:薄膜具有典型的立方钙钛矿晶体结构,其平均晶粒尺寸约为30nm且随退火温度的升高而增大;R-T曲线有双峰出现,高温峰是伴随顺磁-铁磁(PM-FM)相变出现绝缘体-金属(I-M)相变而产生,低温峰是由多晶界面效应及隧穿效应产生;其磁阻MR在110K时约为-38.0%。
杨亮亮殷明志常亮亮
关键词:SOL-GEL法钙钛矿相
钛酸锶薄膜的制备与应用研究进展被引量:1
2011年
介绍了钛酸锶(STO)薄膜的五种制备方法(等离子体增强化学气相淀积、射频磁控溅射、金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积、溶胶?凝胶)及STO薄膜在电容-电压敏双功能材料、CMOS器件、氧敏材料、PZT铁电薄膜电极材料等方面的应用的研究进展。提出了需进一步开展的研究课题如:晶粒晶界控制、界面控制、漏电导机制、疲劳机制、非线性效应及大面积高质量薄膜的制备技术等。
常亮亮殷明志杨亮亮
关键词:钛酸锶
新型溶胶-凝胶工艺制备La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3薄膜及性能分析
2011年
鉴于以醇盐为原料溶胶-凝胶制备La0.5Ca0.5MnO3薄膜工艺中存在诸多苛刻因素,本文以无机盐为原料采用溶胶-凝胶工艺在SiO2/Si(100)衬底上制备了La0.5Ca0.5MnO3薄膜。并用XRD、SEM和TEM等分析手段对薄膜进行了表征,通过不同磁场下电阻-温度(R-T)曲线,研究了样品的磁电阻(CMR)效应。结果表明:薄膜具有假立方钙钛矿晶体结构,表面良好晶粒平均约为30nm且随退火温度的升高而增大;四探针法测定0.6μm厚度的La0.5Ca0.5MnO3薄膜室温下的电阻率为0.0303Ω.cm;磁电阻在210K峰值达到14.5%。
杨亮亮殷明志常亮亮
关键词:溶胶-凝胶工艺阻温特性
湿化学工艺La_xSr_(1-x)TiO_3薄膜的制备及性能表征
2010年
采用湿化学工艺在硅衬底上成功地制备了结构致密、均匀且无龟裂的LaxSr1_xTiO3(LSTO)薄膜。金属硝酸盐(或氯化物)的冰醋酸溶液经回流再加入乙酸酐除去无机阴离子和结晶水,而形成的金属醋酸盐与适当的络合剂形成的多配体络合物经部分水解生成的羟基化合物M(OH)2(L)x(L=C3H5(OH)3或AcAc,M=Sr或Ti或La),经羟基聚合形成LaxSr1_xTiO3(LSTO)簇状溶胶。丙三醇抑制了羟基金属过度羟基聚合,甲基纤维素(MCL)使LSTO溶胶具有网状结构。LSTO凝胶薄膜经过575~725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。室温下LSTO薄膜的电阻率为54μΩ.cm,而在160K到室温之间薄膜电阻率随温度的变化遵从ρ=ρ0+AT2。分析结果表明:La3+离子的施主掺杂实现了SrTiO3的n-型半导体化。
常亮亮殷明志杨亮亮
关键词:半导化
共1页<1>
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