如何有效地利用宽带信号各频点所提供的信息实现高精度波达角(direction of arrival,DOA)估计一直是热点问题,针对宽带DOA估计问题,提出一种基于孔径扩展的子带信息融合(subband information fusion,SIF)DOA估计方法。该方法在宽带信号的频域模型基础上,结合虚拟阵列方法实现孔径扩展,并联合各子带信息统一处理,从而提高DOA估计的精度。与其他SIF方法相比,该方法利用二阶统计量将数据转化为单快拍模型,不仅提高了可估计信源数目,而且极大程度地降低了运算复杂度,同时在小快拍、低信噪比条件下仍能得到DOA估计结果。仿真实验验证了所提方法的有效性。
为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO_2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiC_f/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO_2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiC_f/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO_2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15%SiO_2含量的复合材料厚度为3.2~4.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 d B以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO_2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700℃时15%SiO_2含量复合材料在2.7~3.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能。
采用XPS、XRD、Raman光谱等方法分析了两种典型SiC纤维的微观结构,研究了微观结构对纤维电导性能的影响,并揭示了其高温介电性能和吸波性能的演变规律,对高温结构吸波复合材料的研究具有重要意义。研究表明:KD-I SiC纤维表面富碳,而SLF SiC纤维以Si-C-O结构为主,前者具有较高的电导率和复介电常数,从而导致KD-I纤维与空气阻抗匹配差,而SLF纤维的损耗较小,因此两者在X波段的室温反射率仅为-3.2 d B和-0.3 d B。KD-I纤维的复介电常数随着温度的升高显著增大,SLF纤维的实部增幅较大而虚部略小,两者在700℃时的复介电常数分别达到20.9-j25.0和5.0-j0.37,高温条件下由于阻抗匹配均变差,吸波性能无明显改善。
