王春平
- 作品数：3 被引量：27H指数：3
- 供职机构：哈尔滨理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 耐电晕PI/无机纳米氧化物复合薄膜设计及性能被引量：14
- 2012年
- 采用热液法制备了纳米无机氧化物分散液,其中水解所需的水由醇缩水成醚反应提供。所得的MTES改性的纳米氧化铝与聚酰亚胺复合制成杂化聚酰亚胺复合薄膜(PI/Al2O3-SiO2),另外还制备了未改性的纳米氧化铝杂化聚酰亚胺复合薄膜(PI/Al2O3),在试样厚度均为25μm的情况下,采用双极性脉冲方波电压、峰-峰值2500 V、频率20 kHz、占空比50%、测试温度155℃的条件下,分别测试上述两种薄膜以及Kapton 100 CR薄膜的耐电晕时间,结果表明,PI/Al2O3-SiO2薄膜的耐电晕寿命最长,是Kapton 100 CR薄膜的6倍以上,是PI/Al2O3薄膜的12倍以上。由SEM的测试结果分析表明,PI/Al2O3-SiO2薄膜中的无机纳米复合结构可以更有效地保护PI基体,从而提高材料的耐电晕性。
- 陈昊范勇周宏杨瑞宵王春平韩笑笑
- 关键词：热液法聚酰亚胺薄膜耐电晕
- 聚酰亚胺薄膜绝缘材料耐电晕机理研究被引量：13
- 2013年
- 为了探讨聚酰亚胺薄膜绝缘材料耐电晕机理,对自制纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜进行不同时间的电晕预处理,并对电晕预处理后的试样分别进行电晕老化与热激电流(TSDC)测试,结果发现在适当的电晕预处理条件下,纳米杂化PI薄膜的耐电晕寿命会得到提高,且薄膜耐电晕寿命、热激电流活化能都与薄膜电晕预处理时间存在一定关系,二者变化趋势大致相同。分析表明纳米杂化PI薄膜的耐电晕寿命与其中受陷载流子的状态有关,当材料中均匀分布能级较深的稳定的载流子陷阱时,材料表现出较好的耐电晕性能。
- 陈昊范勇杨瑞宵王春平马鑫
- 关键词：聚酰亚胺耐电晕
- 纳米MgO/PI杂化薄膜的制备及其击穿特性被引量：3
- 2013年
- 采用微乳化-热液法制备了纳米氧化镁粒子,并原位聚合制得纳米氧化镁掺杂改性聚酰胺酸,制备出纳米氧化镁掺杂量分别为0%、2%、4%、6%、8%的杂化聚酰亚胺薄膜,并研究了其击穿特性。结果表明:无机纳米氧化镁粒子在聚酰亚胺基体中分布均匀,纳米氧化镁掺杂量约为4%时,电气强度出现最大值。
- 范勇王春平陈昊杨瑞宵
- 关键词：纳米氧化镁电气强度SEM
