您的位置： 专家智库 > >

张婷婷

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金：国家科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇通流能力
  • 1篇通态压降
  • 1篇阻断电压
  • 1篇关断
  • 1篇关断时间
  • 1篇穿通
  • 1篇P

机构

  • 1篇西安电力电子...

作者

  • 1篇罗艳红
  • 1篇高山城
  • 1篇赵卫
  • 1篇张婷婷
  • 1篇高飞
  • 1篇李翀

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：3
2014年
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
关键词：阻断电压通流能力通态压降关断时间
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0