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李悦

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇双栅
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇性能研究
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿电压

机构

  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 2篇郭宇锋
  • 2篇王超
  • 2篇李悦
  • 1篇刘陈
  • 1篇李曼

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
双栅无结晶体管阈值电压模型
2017年
无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。
杨可萌李悦郭羽涵王超郭宇锋刘陈
关键词:双栅电势分布阈值电压
双栅无结晶体管的击穿性能研究
2015年
本文利用二维仿真器Medici对双栅无结晶体管的击穿特性进行模拟仿真,通过分析发生击穿时的电场分布和碰撞电离率积分,并结合碰撞电离理论,证明了双栅无结晶体管的击穿机理仍然是雪崩击穿。进一步通过分析沟道长度、沟道杂质掺杂浓度、栅极电压等参数对击穿电压的影响,研究双栅无结晶体管的击穿特性。结果表明双栅无结晶体管的击穿电压随着沟道长度和沟道掺杂浓度的增加线性增大,相反地,双栅无结晶体管的击穿电压随栅极电压的增加而略微减小。
王超李悦郭羽涵李曼郭宇锋
关键词:击穿电压电场分布
共1页<1>
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