您的位置: 专家智库 > >

吴庆辉

作品数:27 被引量:14H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金上海市科委科技攻关项目更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 12篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇晶体
  • 7篇激光
  • 6篇离子
  • 6篇晶体生长
  • 6篇光学
  • 6篇掺杂
  • 5篇单晶
  • 5篇激光晶体
  • 4篇籽晶
  • 4篇坩埚
  • 4篇浮区法
  • 3篇氧化镓
  • 3篇光谱
  • 3篇氟化钙晶体
  • 2篇单晶光纤
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇性能研究
  • 2篇阳离子
  • 2篇荧光

机构

  • 27篇中国科学院
  • 4篇同济大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海应用技术...

作者

  • 27篇吴庆辉
  • 25篇苏良碧
  • 20篇姜大朋
  • 17篇钱小波
  • 13篇王静雅
  • 12篇唐飞
  • 8篇刘荣荣
  • 7篇寇华敏
  • 6篇唐慧丽
  • 4篇徐军
  • 4篇罗平
  • 3篇吴锋
  • 2篇于浩
  • 1篇梅炳初
  • 1篇刘军芳
  • 1篇朱基千
  • 1篇马凤凯
  • 1篇武安华
  • 1篇王庆国

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高通量制备单晶光纤的装置和方法
本发明提供一种高通量制备单晶光纤的装置和方法,涉及一种多孔石墨坩埚,所述多孔石墨坩埚包括坩埚体和坩埚托,所述坩埚体内部包括多个独立的生长区间;每个生长区间依次包括:上盖、上装料区、单晶光纤生长区和下装料区;所述单晶光纤生...
苏良碧王绍钊钱小波唐飞吴庆辉姜大朋
文献传递
光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能被引量:4
2017年
采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10^(–2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10^(19)/cm^2,说明掺杂In^(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。
吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军
关键词:晶体生长浮区法
痕量La杂质对CaF_(2)晶体γ辐照诱导色心光谱特性的影响
2023年
氟化钙晶体的抗γ射线辐照性能是其在太空应用的关键性能之一。本文报道了痕量La杂质对氟化钙晶体γ辐照诱导色心的影响。主要采用吸收光谱、电子顺磁共振(EPR)等手段对辐照前后存在不同痕量La杂质的氟化钙晶体进行研究。结果表明,辐照后的氟化钙晶体产生多个色心吸收带,且吸收带的吸收系数随辐照剂量和La杂质浓度增加而增加。EPR证实这种吸收带的形成是由氟化钙晶体中F心引起的,而La^(3+)的存在影响氟化钙晶体F心的稳定性和光谱位置,本文提出了La^(3+)与氟化钙晶体中F心存在的可能机制。
王栋浩寇华敏邵冲云姜大朋张博王静雅钱小波张中晗吴庆辉苏良碧
关键词:色心Γ辐照痕量
In:Ga_2O_3氧化物半导体晶体的生长与性能研究被引量:4
2017年
β-Ga_2O_3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga_2O_3晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In^(3+)离子掺杂后,β-Ga_2O_3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga_2O_3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10^(-4)S/cm和1.005×1016 cm^(-3),其值高于β-Ga_2O_3晶体约1个数量级。In:Ga_2O_3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In^(3+)离子掺杂能够调控β-Ga_2O_3晶体的导电性能。
唐慧丽吴庆辉罗平王庆国徐军
关键词:浮区法电导率
一种大尺寸Yb,R:CaF<Sub>2</Sub>/SrF<Sub>2</Sub>激光晶体及其制备方法
本发明涉及一种大尺寸Yb,R:CaF<Sub>2</Sub>/SrF<Sub>2</Sub>激光晶体及其制备方法,包括:(1)将特定方向的籽晶和晶体生长原料装入晶体生长装置的坩埚中,所述晶体生长装置包括上发热体、下发热体...
姜大朋苏良碧唐飞吴庆辉王静雅钱小波马凤凯
文献传递
一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法
本发明涉及一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法,所述上转换晶体材料为Yb<Sup>3+</Sup>、Er<Sup>3+</Sup>和Tm<Sup>3+</Sup>作为掺杂离子共同掺杂的CaF<Sub>2</S...
张博苏良碧钱小波姜大朋王静雅吴庆辉唐飞刘荣荣
文献传递
用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置
本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置,晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体,主控发热体用于控制生长装置的高温区间,辅控发热体用于控制生长装置的低温区间,自...
苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波
一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法
本发明公开一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法。所述提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法,包括如下步骤:步骤A:对氟化钙晶体光学元件的表面进行HNO<Sub>3</Sub>溶液酸洗;步骤B:氟...
刘荣荣苏良碧王静雅姜大朋吴庆辉张博唐飞钱小波张中晗
文献传递
稀土掺杂氟化物中红外激光晶体的研究进展
苏良碧郭新生张振姜大朋钱小波王静雅吴庆辉
一种界面可视化的晶体生长观测装置和方法
一种界面可视化的晶体生长观测装置,用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测,包括高真空生长装置,生长探测组件,坩埚旋转系统和控制系统,所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长...
苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波
共3页<123>
聚类工具0