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崔文静

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：三明学院更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇探测器
  • 4篇响应度
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇波导
  • 3篇全硅
  • 2篇带宽
  • 2篇导通
  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇电容
  • 2篇电容式
  • 2篇调制器
  • 2篇光波
  • 2篇光电效应
  • 2篇光调制
  • 2篇光调制器
  • 2篇光吸收

机构

  • 10篇三明学院

作者

  • 10篇崔文静
  • 10篇陈洪敏

年份

  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种探测器及制作工艺
本发明提供了一种探测器及制作工艺，探测器包括：波导层；所述波导层包括相互隔断的第一本征区和第二本征区、与所述第一本征区相连的N型区、与所述第二本征区相连的P型区；电极；包括阳极和阴极；所述阳极设置在所述P型区上，所述阴极...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法
本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的...
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一种新型侧向pn结光电探测器
一种新型侧向pn结光电探测器，涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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一种电容式光电探测器
一种电容式光电探测器，涉及光电探测器领域。包括：第一电极板、第二电极板和光吸收部。光吸收部设于第一电极板和第二电极板之间，第一电极板和第二电极板二者同光吸收部之间均具有间隙。光吸收部包括至少两组光电效应单元，光电效应单元...
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一种新型侧向pn结光电探测器
一种新型侧向pn结光电探测器，涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能...
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一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法
本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的...
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一种新型电容式光电探测器
一种新型电容式光电探测器，涉及光电探测器领域。包括：第一电极板、第二电极板和光吸收部。光吸收部设于第一电极板和第二电极板之间，第一电极板和第二电极板二者同光吸收部之间均具有间隙。光吸收部包括至少两组光电效应单元，光电效应...
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一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法
本发明提供一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法，其中，方法包括：提供衬底SOI；通过光刻，在SOI硅层刻蚀出脊型硅波导层以及位于脊型硅波导层两侧的slab层并进行掺杂；其中，所述脊型硅波导层包括第一单晶硅层以及第二单晶...
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一种电光调制器及制备方法
本发明提供了一种电光调制器及制备方法，其特征在于，包括：衬底层；波导层；由P型区和N型区结合形成在所述衬底层上方，其包括依次连接的第一调制波导、传输波导、以及第二调制波导；电极；包括第一阴极、第二阴极及阳极，其中，所述阳...
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可调节波长的多模干涉耦合器
本发明涉及一种可调节波长的多模干涉耦合器，包括一多模干涉仪，还包括一设置于所述多模干涉仪上方的一光辐射发生器，所述光辐射发生器发射适当波长的光源对所述多模干涉仪进行激励；还可以在所述多模干涉仪上方设置一加热电阻，所述加热...
陈洪敏崔文静
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