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孟丽丽

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级
  • 1篇纳米压印
  • 1篇光提取效率
  • 1篇粗化

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇陈依新
  • 1篇马莉
  • 1篇沈光地
  • 1篇孟丽丽
  • 1篇李春伟

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高被引量：6
2011年
分析了常规AlGaInP系发光二极管(LED)光提取效率低的主要原因,半导体的折射率与空气折射率相差很大,导致全反射使有源区产生的光子绝大部分不能通过出光面发射到体外。通过在LED出光层采用纳米压印技术引入表面纳米结构,以改变光子的传播路径,从而使得更多的光子能够发射到体外。理论分析与实验结果表明,与常规平面结构相比,纳米结构的引入,器件发光强度平均增加了1倍以上。
陈依新沈光地孟丽丽马莉李春伟
关键词：纳米压印光提取效率
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共1页<1>
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