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周印华
作品数:
1
被引量:14
H指数:1
供职机构:
南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
饶建平
南昌大学材料科学与工程学院教育...
汤英文
晶能光电江西有限公司
江风益
晶能光电江西有限公司
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晶能光电(江...
作者
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江风益
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汤英文
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饶建平
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周印华
传媒
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光学学报
年份
1篇
2009
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光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率
被引量:14
2009年
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。
周印华
汤英文
饶建平
江风益
关键词:
光学材料
出光效率
SI衬底
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