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p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性被引量：1: 2015年; 随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。; 姚楚君杨国锋孙锐许桂婷李月靖蔡乐晟; 关键词：极化效应

单层氮化镓(GaN)金属接触特性的理论研究: 二维氮化物是设计新型器件的关键材料,它开启了纳米电子器件如场效应晶体管(FET)研究的新领域。低肖特基势垒高度(SBH)金属和二维材料接触对于实现高性能的原子级层状沟道材料基光电器件是必不可少的。在本文中,我们利用基于密...; 孙锐杨国锋; 关键词：欧姆接触肖特基势垒第一性原理

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孙锐