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张青民

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安高技术研究所更多>>
发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇阳极
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇复合阳极
  • 1篇OLED
  • 1篇AL
  • 1篇MOO
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇陕西科技大学
  • 1篇西安高技术研...

作者

  • 1篇张麦丽
  • 1篇王秀峰
  • 1篇丁磊
  • 1篇张方辉
  • 1篇魏寅
  • 1篇张青民

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
C545T对Al/MoO_3复合阳极OLED性能的影响
2011年
制备了以Al/MoO3为复合阳极的有机电致发光器件,其结构为:Al/MoO3/NPB/Alq3∶C545T(x%)/Alq3/LiF/Al。比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性。当C545T掺杂浓度为8%时,主客体间的能量转移最充分,器件的启亮电压为2.75V,器件在13V时获得最高亮度为27 000cd/m2,发光效率为6.97cd/A。用Fowler-Nordheim隧道效应理论和载流子注入机制,分析了以Al/MoO3为复合阳极的OLED器件性能。
魏寅王秀峰张方辉张麦丽丁磊张青民
关键词：有机电致发光器件复合阳极掺杂
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