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彭栋

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇用户
  • 1篇用户接口
  • 1篇双缓冲
  • 1篇接口
  • 1篇GDI+

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇林伯奇
  • 1篇陈立宁
  • 1篇彭栋
  • 1篇罗超

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
图形双缓冲和GDI+在多靶磁控溅射系统中的应用
2017年
根据双缓冲的原理,利用GDI+中高级图形处理功能较高地还原磁控溅射工艺的全流程,以动画的形式实时呈现在UI界面上的全过程。双缓冲的实现使得用户在观察窗狭小的情况下,通过软件UI界面能实时浏览工艺的当前运行进度。
陈立宁罗超林伯奇彭栋
关键词：双缓冲
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共1页<1>
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