胡小东
- 作品数：25 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程电气工程自动化与计算机技术更多>>
- MEMS惯性器件光刻工艺技术要求
- 本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中的光刻的工艺流程、工艺要求和检验要求。本标准适用于采用接近式、接触式和投影式光刻设备的光刻工艺。
- 胡小东杨志杨拥军卞玉民李丽霞徐爱东赵丕福郑七龙
- 能够防止“液体桥”粘连的新型硅溶片工艺被引量：3
- 2002年
- 硅溶片工艺用于制造MEMS惯性传感器[1]。能够实现高深宽比、导电性好的微机械结构。我所采用这种工艺制造出多种MEMS器件,包括加速度计和陀螺等。但该工艺用于制造垂直动作结构如Z轴加速度计和开关时,成品率不高。主要失效原因是由于EPW腐蚀工艺、去离子水漂洗和释放工艺中出现“液体桥”而引起的粘连。本文提出一种新型硅溶片工艺来防止上述失效。结果证明可以提高成品率和一致性。
- 郭贺军徐爱东胡小东刘彦青吕苗
- 关键词：MEMS惯性传感器
- 一种圆片级真空封装结构及其制作方法
- 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的...
- 胡小东杨志胥超张丹青
- 文献传递
- 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
- 本发明公开了一种基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它将低阻硅片和带氧化绝缘层的衬底硅片键合为整体，在低阻硅片上制备微机械结构。它采用硅-硅键合、双...
- 胡小东吕苗
- 文献传递
- 采用V型槽介质隔离工艺的体硅加工方法
- 本发明公开了一种采用V型槽介质隔离技术的体硅加工方法，涉及微电子机械系统领域中的一种微电子机械系统器件结构的制造。它采用电感耦合干法刻蚀工艺在硅片上制造出V型槽，采用介质淀积二氧化硅填充此V型槽，隔离槽深度可以达到10～...
- 吕苗何洪涛胡小东
- 文献传递
- 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
- 本发明公开了一种基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它将低阻硅片和带氧化绝缘层的衬底硅片键合为整体，在低阻硅片上制备微机械结构。它采用硅－硅键合、双...
- 胡小东吕苗
- 文献传递
- 宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作被引量：1
- 2011年
- 基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400～700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%～10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。
- 杨志杨拥军李倩胡小东
- 关键词：滤波器微机械加工
- 硅基多层腔体滤波器
- 本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器，由两层以上介质层上下叠加组成，在每层介质层上均设有通孔，在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层；相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层，在所述中间金属层上...
- 杨志杨拥军胡小东李倩
- 文献传递
- 硅基多层腔体滤波器
- 本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器，由两层以上介质层上下叠加组成，在每层介质层上均设有通孔，在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层；相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层，在所述中间金属层上...
- 杨志杨拥军胡小东李倩
- 正面体硅工艺及其在光开关、加速度计中的应用研究
- 工艺简单是正面体硅工艺的最大优点,不需要硅-玻璃键合,缩短了工艺流程,并极大的缩短了高温扩散时间(只需0.5~1h),减小了扩散应力对器件的影响,提高了成品率.结构与衬底采用反偏p<'++>-n结隔离,隔离电压350~4...
- 徐永青杨拥军胡小东何洪涛
- 关键词：微机械体硅工艺光开关加速度计
- 文献传递
