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高峰

作品数:1 被引量:5H指数:1
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇等离子增强化...
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇磷掺杂
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光电
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇袁文辉
  • 1篇夏冬林
  • 1篇赵修建
  • 1篇殷官超
  • 1篇高峰

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
磷掺杂对非晶硅薄膜结构及光电性能的影响被引量:5
2011年
采用射频等离子增强化学气相沉积方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。通过Raman散射光谱研究了不同磷烷掺杂含量薄膜的微结构,利用分光光度计对薄膜的厚度、消光系数和折射率进行了模拟,用高阻仪测得了非晶硅薄膜暗电导率。结果表明:薄膜的中程有序度随着磷掺杂量(?)(体积分数)的增加而减小;折射率在(?)为0 8%时最大;在结构无序度随着(?)而增大的影响下,薄膜暗电导率在(?)为1%时达到最大,为8.41×10^(-3)S/cm。
殷官超高峰袁文辉夏冬林赵修建
关键词:氢化非晶硅等离子增强化学气相沉积
共1页<1>
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