王超
- 作品数：6 被引量：17H指数：2
- 供职机构：长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器温度特性研究被引量：1
- 2019年
- 通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25～75℃的电流-电压(I-V)特性进行研究。构建温度对栅极电压影响的解析模型,通过数值计算与软件模拟,验证模型的有效性。利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比(SNR)等特性进行模拟仿真。结果表明,沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大,温度对光电流的影响不明显,信噪比随温度的升高而减小,在温度T=-25℃,栅极电压为1.44V时,SNR达到最大值6.11×10~5;在T=75℃,栅极电压为2V时,SNR达到最小值为1.064×10~3。
- 谢海情贾新亮黄茂飞李洁颖彭永达王超王龙
- 关键词：温度特性栅极电压光探测器
- 交叉耦合结构集成石英晶体振荡器相位噪声与稳定性研究
- 2018年
- 通过对相位噪声进行频域分析,构建Lesson噪声优化模型,优化电路参数;并分析预抑制电路的小信号模型,优化其元器件参数,研究带RC滤波器的CMOS交叉耦合结构振荡器的相位噪声和稳定性.基于NUVOTON 0.35μm工艺,采用Cadence完成电路设计、优化与仿真,版图设计与后仿真,并最终完成流片、测试.结果表明:在电源电压为3.3V时,该振荡器的输出信号频率为20 MHz,相位噪声分别为-135dBc/Hz@1kHz,-156.4dBc/Hz@10kHz,-169.2dBc/Hz@1MHz.当电源电压在±10%范围变化时,频率波动小于81×10^(-6);在工作温度-25℃至85℃范围内,频率波动小于71×10^(-6).
- 谢海情曾承伟曾健平贾新亮王超王龙陈玉辉李洁颖
- 关键词：石英晶体振荡器相位噪声稳定度
- 高电源电压抑制比带隙基准电压源设计被引量：2
- 2017年
- 文章设计了一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源。利用两级单端输出运算放大器给基准源提供偏置电压,使核心电路部分脱离电源电压的噪声影响,且在放大器的输出与尾电流管的栅极之间添加共源放大器构成调节型共源共栅反馈回路,提高放大器的低频增益,同时使放大器电源到输出的增益接近于1,从而达到高电源抑制比。基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件的Spectre工具完成电路设计的仿真与调试。电源电压采用3.3V。仿真结果表明放大器低频增益达95d B,电源到输出的增益为0.958。温漂系数达10.33ppm/℃,电源抑制比达到-127d B@10Hz。该带隙基准电压源可应用于CMOS图像传感器。
- 王超王龙贾新亮彭永达陈玉辉肖海鹏李洁颖
- 关键词：低温漂
- 一种低噪声交叉耦合结构集成石英晶体振荡器被引量：4
- 2017年
- 通过改进电路结构,采用CMOS交叉耦合结构提供负阻,设计一种20 MHz的集成石英晶体振荡器.在该振荡器中,采用共模反馈使其输出稳定的直流电平,并增加RC高通滤波器和预抑制电路降低其相位噪声.基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压为3.3V,偏置电流约400μA时,该振荡器的起振时间约为1.5ms,输出波形峰-峰值为1.08V,输出直流电平约为801.6mV.输出信号频率为19.95 MHz,相位噪声分别可以达到-155dBc/Hz@1kHz,-164dBc/Hz@10kHz.
- 谢海情曾承伟曾健平唐俊龙贾新亮彭永达王超
- 关键词：晶体振荡器相位噪声
- 基于STM32的智能环境监控系统设计被引量：8
- 2017年
- 基于STM32芯片,设计一种智能环境监控系统。采用Altium Designer软件完成电路原理图和PCB版图设计,应用Visual Basic和KeilμVision4编写程序实现传感器数据采集、无线信号的传输控制和可视化人机交互界面。采用冗余检查和软件滤波方法,保证数据的准确性和完整性。完成实物制作并测试,结果显示该系统具有对烟雾浓度、环境温度、气压、PM2.5及湿度等指标进行监控与报警的功能。
- 唐俊龙贾新亮王超彭永达王龙谢海情
- 关键词：环境监测智能控制STM32无线通信
- SAM结构雪崩光电二极管的工艺仿真与特性研究被引量：2
- 2018年
- 利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SAM结构雪崩光电二极管分别进行工艺仿真和特性研究。利用ATHENA模块得到器件的掺杂浓度分布和掺杂区域隔离。利用ATLAS模块对ATHENA得到器件结构进行雪崩击穿电压和有无光照时的电流电压特性进行软件模拟。在合理掺杂浓度时该雪崩光电二极管的击穿电压约为6.2V。
- 彭永达贾新亮王超王龙陈玉辉汪章紫璇谢海情
- 关键词：雪崩光电二极管I-V特性
