范红娜
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究被引量：1
- 2018年
- 钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤5μm,局部平整度(LTV)≤1.5μm,局部平整度合格比例(PLTV)≥95%,翘曲度(Warp)≥20μm,弯曲度(Bow)≤10μm,达到了商用钽酸锂单晶片的技术水平。
- 杨洪星王雄龙杨静范红娜李明佳
- 关键词：钽酸锂化学腐蚀研磨抛光
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
- 2015年
- 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
- 郭亚坤陈晨田原范红娜王云彪
- 关键词：清洗技术
- 异质外延用硅单晶片边缘质量控制技术研究
- 2017年
- 异质外延在LED、高性能光电集成电路(OEIC)等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般需要在衬底上生长一层缓冲层,而后在缓冲层上生长异质外延层。Si衬底损伤层对缓冲层成核具有较大的影响,进而对异质外延层造成重大影响。本文以硅单晶片边缘质量控制为切入点,开展了异质外延用硅单晶片的研究。
- 杨洪星范红娜刘玉岭陶术鹤何远东
- 关键词：硅单晶倒角半导体
- 单晶硅抛光片表面质量探究被引量：1
- 2016年
- LED集成度越来越高,集成电路线宽不断收窄,对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求,抛光片表面质量对器件制造有重要影响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺,其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了RCA清洗过程的两个关键因素对晶片表面质量的影响。
- 范红娜杨洪星
- 关键词：清洗技术花篮氢氟酸颗粒度
