2025年5月7日
星期三
|
欢迎来到鞍山市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
陈红纳
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
河北工业大学电气工程学院
更多>>
发文基金:
河北省科技计划项目
国家自然科学基金
国家科技支撑计划
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
梅霜
河北工业大学电气工程学院
李志刚
河北工业大学电气工程学院
田盛
河北工业大学电气工程学院
刘向向
河北工业大学电气工程学院
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
2篇
IGBT
1篇
支持向量
1篇
支持向量机
1篇
神经网
1篇
神经网络
1篇
向量
1篇
向量机
1篇
门极
1篇
键合
1篇
键合线
1篇
功率模块
1篇
SVM
1篇
铝
1篇
IGBT模块
机构
2篇
河北工业大学
作者
2篇
李志刚
2篇
陈红纳
2篇
梅霜
1篇
刘向向
1篇
田盛
传媒
1篇
太阳能学报
1篇
电子技术应用
年份
1篇
2017
1篇
2016
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
IGBT模块键合线故障与门极杂散阻抗的关系研究
被引量:2
2016年
键合线脱落是IGBT芯片一种普遍的失效形式,铝键合线故障在一定程度上会影响门极杂散阻抗。杂散阻抗的改变又会引起门极电信号的变化,因此通过门极测量信号的变化来表征其杂散阻抗的改变,进而判断IGBT芯片是否发生铝键合线脱落故障。对门极杂散阻抗与键合线故障之间的关系进行了研究,为识别IGBT模块铝键合线故障提供了依据。
陈红纳
李志刚
梅霜
田盛
关键词:
IGBT
基于饱和压降测量的功率模块老化模型研究
2017年
通过研究老化对功率模块IGBT状态参量的影响,提出一种基于功率模块IGBT的饱和压降测量的老化研究方法,即分别通过BP神经网络和支持向量机(SVM)对不同老化程度下、不同外电路条件下的饱和压降老化数据进行建模。建立老化模型可有效辨识IGBT模块内部老化程度,从而避免模块的完全失效及由此造成的装置损坏。
李志刚
梅霜
陈红纳
刘向向
关键词:
IGBT
神经网络
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张