黄洁芳
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：五邑大学应用物理与材料学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金上海市教育委员会科技发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质被引量：4
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。
- 朱慧群李毅丁瑞钦王忆黄洁芳张锐华
- 关键词：磁控溅射P型ZNO薄膜磷掺杂异质结
- ZnO:Ag薄膜的制备及其光学性能研究
- 2012年
- 采用蒸镀与氧化二步法,以高纯混合金属Zn：Ag作蒸发源,在石英衬底上沉积Zn：Ag金属薄膜,经不同热氧化处理生长Ag掺杂ZnO薄膜。结果显示,以Ag含量为质量分数3%的蒸发源沉积的Zn：Ag薄膜经500℃氧化后,生成的ZnO：Ag薄膜在380 nm附近出现很强的近带边紫外发光峰,在438~470 nm附近出现较弱的深能级缺陷发光峰,该薄膜在360 nm有接近垂直的吸收边,其载流子浓度为1.810×1021cm–3,表现出p型导电特性和较好的光学质量。
- 朱慧群黄洁芳
- 关键词：AG掺杂ZNO热蒸发光学性能
